Caracterización de películas semiconductoras de InxGa1-xN en fase cúbica por medio de fotoluminiscencia

Abstract

Las investigaciones de estructuras semiconductoras son las bases para el desarrollo tecnológico de dispositivos, tales como diodos emisores de luz, láseres y celdas solares, son esenciales para la mayoría de las aplicaciones tecnológicas que utilizamos hoy en día. Este trabajo presenta un estudio de películas de InGaN en fase cúbica crecidas por la técnica de epitaxia de haces moleculares sobre sustratos de GaAs. Las películas fueron crecidas variando las temperaturas del sustrato y de la celda de indio para conseguir que estas películas tuvieran un band gap óptico en la región del verde del espectro. Las muestras fueron caracterizadas por medio de las técnicas de reflectancia, fotoluminiscencia y difracción de rayos x. Se encuentra que, para ciertos espesores de las películas en este estudio, en algunas de ellas hay interferencia en el espectro de PL, esta interferencia puede ser removida empleando reflectancia. De los estudios se concluye que se consiguieron películas crecidas a temperaturas cercanas a 560 °C en la incorporación de In, de las cuales se tienen concentraciones de In del 25.5% al 21.5% para la fase cúbica y hexagonal respectivamente, apropiadas para la emisión verde tanto en fase cúbica como hexagonal.