Caracterización óptica de GaN/Si (111) en fase hexagonal por medio de fotorreflectancia

Abstract

El desarrollo y control de estructuras semiconductoras ha sido la piedra angular sobre la cual se ha construido la tecnología actual. Estos avances tecnológicos solo son posibles mediante el estudio de nuevos materiales semiconductores, su importancia es tal que siguen siendo y serán los constituyentes esenciales de prácticamente cualquier dispositivo tecnológico con el que tengamos contacto. En este trabajo se reporta el estudio de materiales en bulto de GaN y GaN/Si dopado, crecidos mediante epitaxia de haces moleculares sobre sustratos de silicio, empleando las técnicas de fotoluminiscencia, reflectancia y fotorreflectancia. Se estudia el efecto de la temperatura del sustrato, así como de la celda de galio (Ga) en la emisión óptica de estas las muestras, también se correlaciona la emisión cercana al gap y la emisión de defectos en función del dopaje con Si que está en el GaN. la emisión amarilla presente en fotoluminiscencia se correlaciona con los efectos de interferencia que aparecen tanto en los espectros de reflectancia como en los de fotorreflectancia, en particular encontramos que la señal de fotorreflectancia de películas de GaN/Si es producto de una tercera derivada, línea de Aspnes, y una primera derivada del espectro de reflectancia.