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Browsing Maestría en Física by Issue Date

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  • Caracterización óptica de GaN/Si (111) en fase hexagonal por medio de fotorreflectancia 
    Cano Salazar, Jesús Adrian; Cano Salazar, Jesús Adrian::orcid::(pendiente) (Universidad Autónoma de SinaloaMX, 2022-01)
    El desarrollo y control de estructuras semiconductoras ha sido la piedra angular sobre la cual se ha construido la tecnología actual. Estos avances tecnológicos solo son posibles mediante el estudio de nuevos materiales ...
  • Caracterización de películas semiconductoras de InxGa1-xN en fase cúbica por medio de fotoluminiscencia 
    Favela López, Juan Jazziel; Favela López, Juan Jazziel::orcid::(pendiente) (Universidad Autónoma de SinaloaMX, 2022-02)
    Las investigaciones de estructuras semiconductoras son las bases para el desarrollo tecnológico de dispositivos, tales como diodos emisores de luz, láseres y celdas solares, son esenciales para la mayoría de las aplicaciones ...
  • Polarización de Λ Y ´ Λ en el Experimento MPD-NICA 
    Medina Serna, José Jorge; Medina Serna, José Jorge::orcid::(pendiente) (Universidad Autónoma de SinaloaMX, 2022-05)
    La descripción de la evolución espacio-temporal del plasma de quarks y gluones formada en las colisiones de iones pesados ha sido de interés para el estudio de diversos fenómenos. Entre ellos, se ha observado la presencia ...
  • Síntesis y caracterización de Perovskitas fotoluminiscentes 
    Quintero Borbón, Fernando; Quintero Borbón, Fernando::orcid:: (Universidad Autónoma de SinaloaMX, 2022-06)
    Hoy en día el desarrollo e investigación de materiales semiconductores forman parte esencial del avance tecnológico de materiales. Dispositivos como diodos emisores de luz, láseres, celdas solares, entre otros basan su ...
  • Estudios de simulación del detector miniBeBe para el experimento MPD-NICA 
    Nieto Marín, Pedro Antonio; Nieto Marín, Pedro Antonio::orcid::(pendiente) (Universidad Autónoma de SinaloaMX, 2022-06)
    Se presenta los estudios de simulación para el diseño conceptual del detector miniBeBe propuesto para ser instalado como un detector de nivel 0 en el complejo NICA-MPD del Joint Institute for Nuclear Research (JINR). Se ...
  • Análisis fenomenológico del Higgs en la búsqueda de nueva física 
    Sicairos Páez, Sergio Luis; Sicairos Páez, Sergio Luis::orcid::(pendiente) (Universidad Autónoma de SinaloaMX, 2022-07)
    En los experimentos de altas energías modernos, uno de los retos a los que se enfrentan los científicos es el de desarrollar nuevos algoritmos computacionales que permitan recrear las condiciones que ocurren al colisionar ...
  • Análisis de precisión de la estructura interna de los hadrones mediante la detección de fotones 
    Rentería Estrada, David Francisco; Rentería Estrada, David Francisco::orcid::0000-0002-2825-9837 (Universidad Autónoma de SinaloaMX, 2022-10)
    Lograr una descripción precisa de la estructura interna de los hadrones es una tarea difícil, ya que hay varios cuellos de botella para obtener predicciones teóricas partiendo de primeros principios. Para complementar los ...
  • Estudio teórico del impacto de los mecanismos de recombinación en el comportamiento de las celdas solares del tipo SnSe/CdS. 
    Carrillo Osuna, Alexis; Carrillo Osuna, Alexis::orcid::0000-0002-9977-6276 (Universidad Autónoma de SinaloaMX, 2023-01)
    En este trabajo se emplea el modelado de una celda solar basada en seleniuro de estaño y sulfuro de cadmio (SnSe/CdS) desarrollado utilizando el software Solar Cell Capacitance Simulator (por sus siglas en inglés SCAPS) ...
  • Aplicaciones de la Micropolarimetría basada en iluminación estructurada 
    Rojas Márquez, Emmanuel Guillermo; Rojas Márquez, Emmanuel Guillermo::orcid::0009-0007-3420-9303 (Universidad Autónoma de SinaloaMX, 2023-02)
    En este trabajo de tesis diseñamos un arreglo experimental que nos permitió generar e incidir haces vectoriales sobre muestras biológicas, a saber, células de Hela con un tamaño de alrededor de 25μm. Particularmente generamos ...
  • Modelado de la celda solar Cd1-xZnxS/SnS por medio del software SCAPS 
    Rodríguez Valverde, Jesús Alfonso; Rodríguez Valverde, Jesús Alfonso::cvu::1076577 (Universidad Autónoma de SinaloaMX, 2023-03)
    En la actualidad, los semiconductores forman parte fundamental de los componentes de la mayoría de los dispositivos empleados en todo tipo de electrónica. Diodos emisores de luz, láseres, celdas solares y transistores por ...
  • Análisis de modelos cosmológicos y de agujeros negros con simetría esférica en diversas coordenadas 
    Martínez Olivas, Brandon Mariano; Martínez Olivas, Brandon Mariano::orcid::0000-0001-8826-1595 (Universidad Autónoma de SinaloaMX, 2023-08)
    En la teoría de la relatividad general empleamos variedades para describir una región del espacio-tiempo. Las ecuaciones de campo de Einstein relacionan la geometría del espacio-tiempo con la materia y radiación presentes, ...
  • Estudio de las propiedades ópticas y estructurales de películas de Zn y AZO crecidas por deposición de capas atómicas 
    Seminario Panta, Carmen Lizet Estefani; Seminario Panta, Carmen Lizet Estefani::orcid::0000-0002-6791-3045 (Universidad Autónoma de SinaloaMX, 2024-07)
    En los últimos años, la necesidad de desarrollar dispositivos optoelectrónicos y sistemas nanoestructurados aplicados al uso común como por ejemplo pantallas de cristal líquido (LCD), diodos orgánicos emisores de luz (OLED), ...
  • Caracterización de películas delgadas de AlN crecidas por epitaxia de haces moleculares 
    Contreras, Edgar Agustin; Contreras, Edgar Agustin::orcid::0000-0003-0216-3316 (Universidad Autónoma de SinaloaMX, 2024-07)
    En esta tesis se llevó a cabo un estudio para la caracterización de pel´ıculas de nitruro de aluminio depositadas sobre sustrato de silicio (111) a trav´es de la t´ecnica de epitaxia por haces moleculares. Las pel´ıculas ...
  • Hacia una mejor comprensión de Schwarzschild y de Sitter, y sus extensiones 
    Sandoval Rodríguez, Andrés; Sandoval Rodríguez, Andrés::orcid::0009-0005-9222-6422 (Universidad Autónoma de SinaloaMX, 2024-08)
    La relatividad general es la mejor descripción de la gravedad que se tiene. Se considera que su estructura básica fue otorgada en noviembre de 1915 con las presentaciones casi simultáneas de la teoría por parte de Albert ...